Journal of Semiconductors雜志收錄論文類型主要包括：研究快報、研究論文、研究簡報、技術進展等。
雜志論文要求：
1、如作者不同意文章被收錄，請在來稿時向本刊聲明，本刊將做適當處理。來稿請用小四號字打印，同時提供打印稿和電子文本（word格式）。
2、論文應有中英作者署名、工作單位、所在省、市名稱和郵編。如有多位作者，其間以逗號分開，其工作單位不同，應按阿拉伯數字順序標注在右上角，單位與單位之間用分號。
3、文內一級標題序號用1，2，3……，小四號黑體；文內二級標題序號用1.1，1.2，1.3……，五號黑體；余類推。各層次的序號均須左頂格，后空一字距后再接排標題。
4、摘要的字數要求在200字左右，要中英文對應。內容包含研究的目的、方法、結果和結論。
5、正文中標題編排格式為：二級標題用“一”或“一、……”（居中、宋體四號）；三級標題用“（一）”（首行縮進兩格、宋體五號加粗）；四級標題用“1.……”（宋體五號）。
6、注釋統一采用尾注，并請以正文格式列于文章末尾，勿用word自動生成；序號采用“[]”方括號標注；外國作者國籍采用“〔〕”六角括號標注。
7、圖、表和公式應通篇分別編號，圖題、表題應有中英文對照。表格應采用三線表形式，內容以英文表述。參考文獻應有中英文對照，并在正文中按順序引用。
8、前言應交代本研究歷史背景、研究意義和研究目的，提出研究需要解決的問題，重點闡述本研究創新點。
9、文章結構：稿件應包括標題、摘要、引言、材料與方法、結果、討論、結論、參考文獻等部分。其中，摘要應簡明扼要地介紹研究背景、目的、方法、結果和結論；引言應明確研究背景與目的；材料與方法應準確描述實驗設計、樣本選擇、數據收集和統計分析方法；結果和討論分別闡述實驗結果和對結果的解釋和討論。
10、外文文獻在前，中文文獻在后。同一作者不同時期的文獻按出版時間的先后順序排列。外文書名以斜體書寫，實詞首字母大寫；外文論文篇名以正體書寫，僅篇名首字母大寫。每條頂格寫，回行時空兩格。
Journal of Semiconductors雜志是由中國科學院主管，中國科學院半導體研究所;中國電子學會主辦的CSCD期刊，影響因子為：0.36。順應社會的發展，雜志獲得了多項榮譽：全國優秀科技期刊、中國科技期刊優秀期刊等。
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