《固體電子學研究與進展》經新聞出版總署批準,自1981年創刊,國內刊號為32-1110/TN,本刊積極探索、勇于創新,欄目設置及內容節奏經過編排與改進,受到越來越多的讀者喜愛。
《固體電子學研究與進展》辦刊宗旨是面向21世紀固體物理和微電子學領域的創新性學術研究。
雜志簡介:《固體電子學研究與進展》雜志經新聞出版總署批準,自1981年創刊,國內刊號為32-1110/TN,是一本綜合性較強的電子期刊。該刊是一份雙月刊,致力于發表電子領域的高質量原創研究成果、綜述及快報。主要欄目:三維集成射頻微系統(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學、硅微電子學、材料與工藝、研究簡訊
《固體電子學研究與進展》經新聞出版總署批準,自1981年創刊,國內刊號為32-1110/TN,本刊積極探索、勇于創新,欄目設置及內容節奏經過編排與改進,受到越來越多的讀者喜愛。
《固體電子學研究與進展》辦刊宗旨是面向21世紀固體物理和微電子學領域的創新性學術研究。
《固體電子學研究與進展》雜志學者發表主要的研究主題主要有以下內容:
(一)高電子遷移率晶體管;氮化鎵;GAN;砷化鎵;GAAS
(二)GAAS;MMIC;砷化鎵;單片;微波單片集成電路
(三)MMIC;砷化鎵;PHEMT;功率放大器;GAAS
(四)HFET;GAN;電流崩塌;勢壘;溝道
(五)CMOS;低功耗;跨導;電路;鎖相環
(六)氮化鎵;GAN;MOCVD;二維電子氣;高電子遷移率晶體管
(七)砷化鎵;GAAS;單片;開關;MESFET
(八)半導體器件;硅;雙極晶體管;集成電路;CMOS
(九)金剛石;襯底;二維電子氣;氮化鎵晶體管;鍵合
(十)微波單片集成電路;MMIC;功率MMIC;氮化鎵;功率放大器
1、論文摘要字數請控制在400字以內,內容要明確體現核心觀點、創新之處及研究方法。
2、作者單位用腳注方式(阿拉伯數字)書寫在正文第1頁最下方,寫明所有作者的工作單位、城市(或縣)和郵政編碼。第一作者必須在文末提交個人簡介。書寫格式依次為:姓名(出生年~)、性別、民族、學歷、職稱、研究方向等。
3、文章各章節或內容層次的序號,一般依一、(一)、1、(1)等順序表示。
4、論文標題的層級,按一、(一)、1、(1)……排列,標題序號后不加逗號,標題末尾不加句號。
5、注意引用近兩年國內外的最新文獻。本刊采用順序編碼制標注參考文獻,文獻序號按出現先后排序,并在文中相應處標出。
立即指數:立即指數 (Immediacy Index)是指用某一年中發表的文章在當年被引用次數除以同年發表文章的總數得到的指數;該指數用來評價哪些科技期刊發表了大量熱點文章,進而能夠衡量該期刊中發表的研究成果是否緊跟研究前沿的步伐。
引證文獻:又稱來源文獻,是指引用了某篇文章的文獻,是對本文研究工作的繼續、應用、發展或評價。這種引用關系表明了研究的去向,經過驗證,引證文獻數等于該文獻的被引次數。引證文獻是學術論著撰寫中不可或缺的組成部分,也是衡量學術著述影響大小的重要因素。
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