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固體電子學研究與進展

固體電子學研究與進展雜志

Research & Progress of SSE Solid State Electronics

雜志簡介:《固體電子學研究與進展》雜志經新聞出版總署批準,自1981年創刊,國內刊號為32-1110/TN,是一本綜合性較強的電子期刊。該刊是一份雙月刊,致力于發表電子領域的高質量原創研究成果、綜述及快報。主要欄目:三維集成射頻微系統(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學、硅微電子學、材料與工藝、研究簡訊

主管單位:中國電子科技集團公司
主辦單位:南京電子器件研究所
國際刊號:1000-3819
國內刊號:32-1110/TN
全年訂價:¥ 220.00
創刊時間:1981
所屬類別:電子類
發行周期:雙月刊
發行地區:江蘇
出版語言:中文
預計審稿時間:1-3個月
綜合影響因子:0.43
復合影響因子:0.29
總發文量:1277
總被引量:2651
H指數:13
引用半衰期:3.7381
立即指數:0.0082
期刊他引率:0.837
平均引文率:7.9426
雜志簡介 收錄信息 雜志榮譽 歷史收錄 雜志特色 雜志評價 課題分析 發文刊例 雜志問答

固體電子學研究與進展雜志簡介

《固體電子學研究與進展》經新聞出版總署批準,自1981年創刊,國內刊號為32-1110/TN,本刊積極探索、勇于創新,欄目設置及內容節奏經過編排與改進,受到越來越多的讀者喜愛。

《固體電子學研究與進展》辦刊宗旨是面向21世紀固體物理和微電子學領域的創新性學術研究。

《固體電子學研究與進展》雜志學者發表主要的研究主題主要有以下內容:

(一)高電子遷移率晶體管;氮化鎵;GAN;砷化鎵;GAAS

(二)GAAS;MMIC;砷化鎵;單片;微波單片集成電路

(三)MMIC;砷化鎵;PHEMT;功率放大器;GAAS

(四)HFET;GAN;電流崩塌;勢壘;溝道

(五)CMOS;低功耗;跨導;電路;鎖相環

(六)氮化鎵;GAN;MOCVD;二維電子氣;高電子遷移率晶體管

(七)砷化鎵;GAAS;單片;開關;MESFET

(八)半導體器件;硅;雙極晶體管;集成電路;CMOS

(九)金剛石;襯底;二維電子氣;氮化鎵晶體管;鍵合

(十)微波單片集成電路;MMIC;功率MMIC;氮化鎵;功率放大器

固體電子學研究與進展收錄信息

固體電子學研究與進展雜志榮譽

固體電子學研究與進展歷史收錄

  • 北大核心期刊(2020版)
  • 北大核心期刊(2017版)
  • 北大核心期刊(2014版)
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 北大核心期刊(2008版)
  • 北大核心期刊(2000版)
  • 北大核心期刊(1996版)
  • 北大核心期刊(1992版)
  • 中國科技核心期刊
  • 中國科學引文數據庫-核心(2011-2012)
  • 中國科學引文數據庫-擴展(2017-2018)
  • 中國科學引文數據庫-擴展(2015-2016)
  • 中國科學引文數據庫-擴展(2013-2014)
  • Scopus數據庫
  • 日本科學技術振興機構數據庫
  • 化學文摘(網絡版)

固體電子學研究與進展雜志特色

1、論文摘要字數請控制在400字以內,內容要明確體現核心觀點、創新之處及研究方法。

2、作者單位用腳注方式(阿拉伯數字)書寫在正文第1頁最下方,寫明所有作者的工作單位、城市(或縣)和郵政編碼。第一作者必須在文末提交個人簡介。書寫格式依次為:姓名(出生年~)、性別、民族、學歷、職稱、研究方向等。

3、文章各章節或內容層次的序號,一般依一、(一)、1、(1)等順序表示。

4、論文標題的層級,按一、(一)、1、(1)……排列,標題序號后不加逗號,標題末尾不加句號。

5、注意引用近兩年國內外的最新文獻。本刊采用順序編碼制標注參考文獻,文獻序號按出現先后排序,并在文中相應處標出。

固體電子學研究與進展雜志評價

發文量 影響因子
立即指數 被引次數
主要引證文獻期刊分析

立即指數:立即指數 (Immediacy Index)是指用某一年中發表的文章在當年被引用次數除以同年發表文章的總數得到的指數;該指數用來評價哪些科技期刊發表了大量熱點文章,進而能夠衡量該期刊中發表的研究成果是否緊跟研究前沿的步伐。

引證文獻:又稱來源文獻,是指引用了某篇文章的文獻,是對本文研究工作的繼續、應用、發展或評價。這種引用關系表明了研究的去向,經過驗證,引證文獻數等于該文獻的被引次數。引證文獻是學術論著撰寫中不可或缺的組成部分,也是衡量學術著述影響大小的重要因素。

固體電子學研究與進展課題分析

主要資助項目
  • 國家自然科學基金
  • 國家高技術研究發展計劃
  • 國家重點基礎研究發展計劃
  • 江蘇省自然科學基金
  • 中央高校基本科研業務費專項資金
  • 國家科技重大專項
  • 國家教育部博士點基金
  • 福建省自然科學基金
  • 國家重點實驗室開放基金
  • 河北省自然科學基金
主要資助課題
  • 江蘇省“六大人才高峰”高層次人才項目(DZXX-053)
  • 國家自然科學基金(60371029)
  • 國家自然科學基金(60506012)
  • 國家自然科學基金(60776016)
  • 中央高校基本科研業務費專項資金(JUSRP51323B)
  • 國家高技術研究發展計劃(2009AA011605)
  • 北京市人才強教計劃項目(05002015200504)
  • 國家自然科學基金(69736020)
  • 國家自然科學基金(61106130)
  • 國防科技重點實驗室基金(9140C1402021102)

固體電子學研究與進展發文刊例

  • 1、基于GaN HEMT的0.8~4.2GHz超寬帶功率放大器的設計作者:楊文琪; 鐘世昌; 李宇超
  • 2、C波段高效率GaN HEMT功率放大器作者:孫嘉慶; 鄭惟彬; 錢峰
  • 3、L波段GaN大功率高效率準單片功率放大器作者:藺蘭峰; 周衍芳; 黎明; 陶洪琪
  • 4、Y2O3改善HfO2高k柵介質Ge MOS電容的電特性及可靠性作者:徐火希; 謝玉林
  • 5、應變調制型磁性隧道結器件建模及其轉換特性研究作者:徐立; 蔡理; 崔煥卿; 王森; 楊曉闊; 馮朝文
  • 6、2000W硅LDMOS微波脈沖大功率晶體管作者:應賢煒; 王佃利; 李相光; 梅海; 呂勇; 劉洪軍; 嚴德圣; 楊立杰
  • 7、一種應用于SOC時鐘的鎖相環設計作者:吉新村; 徐嚴; 郭風岐; 夏曉娟; 郭宇鋒
  • 8、一種用于背板傳輸的6.25 Gbps均衡和預加重電路設計作者:張冰; 呂曉滑; 唐書林
  • 9、基于T型分支線結構的小型化差分濾波器作者:張友俊; 章慶
  • 10、一種新型小型化平衡雙通帶濾波器作者:張友俊; 袁曉芳

固體電子學研究與進展雜志 雙月刊訂價:¥220.00/年

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免責聲明

若用戶需要出版服務,請聯系出版商,地址:南京1601信箱43分箱,郵編:210016。

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