半導(dǎo)體信息雜志收錄論文類型主要包括：企業(yè)指南、國內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件、市場動(dòng)態(tài)等。
雜志論文要求：
1、文稿應(yīng)具有創(chuàng)造性、科學(xué)性、實(shí)用性。應(yīng)立論新穎、論據(jù)充分、數(shù)據(jù)可靠、文字精煉，嚴(yán)禁抄襲。
2、文章題名要求簡明、具體、新穎，中文題名不得超過20個(gè)字，必要時(shí)可加副標(biāo)題，并有英文翻譯。
3、參考文獻(xiàn)：引文務(wù)必準(zhǔn)確，參考文獻(xiàn)表中列出的應(yīng)限于作者直接閱讀過的、最主要的、發(fā)表在正式出版物上并且在文章中直接引用的文獻(xiàn)；按GB7714-87的規(guī)定采用順序編碼標(biāo)注制著錄。
4、論著須附200～300字中英文摘要，包括目的、方法、結(jié)果、結(jié)論。
5、作者簡介，包括姓名、出生年份、性別、民族、學(xué)位、職稱、從事的主要工作、E-mail等。
半導(dǎo)體信息雜志是由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件專業(yè)協(xié)會(huì) 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所主管，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件分會(huì);中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所主辦的部級(jí)期刊，
雜志往期論文摘錄展示
美國布法羅大學(xué)研制出耐壓1850V的氧化鎵晶體管提高器件功率并保持小體積、低質(zhì)量
成都集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)成立推進(jìn)產(chǎn)業(yè)聯(lián)動(dòng)、構(gòu)建特色產(chǎn)業(yè)生態(tài)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出100V,25mΩ的eGaN功率晶體管
意法半導(dǎo)體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)
氮化鎵（GaN）器件可滿足雷達(dá)、電子戰(zhàn)（EW）和通信系統(tǒng)所需的高性能、高功率和
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