半導體雜志簡介

《半導體》自1976年創刊，國內刊號為12-1134/TN，本刊積極探索、勇于創新，欄目設置及內容節奏經過編排與改進，受到越來越多的讀者喜愛。

《半導體》雜志學者發表主要的研究主題主要有以下內容：

（一）半導體；SI納米線；太陽電池；光致發光；自組織生長

（二）壓力傳感器；傳感器；四探針；單片機；溫度補償

（三）跳頻通信；混沌序列；Z2000；頻率合成器；混沌跳頻序列

（四）CMOS；電路設計；集成電路；濾波器；模擬乘法器

（五）砷化鎵；GAAS；太陽電池；磷化銦；半絕緣

（六）CMOS；濾波器；MOS；開關電流電路；開關電流

（七）共振隧穿二極管；RTD；負阻器件；共振隧穿器件；負阻

（八）CMOS；鎖相環；開關電流；開關電流電路；時鐘恢復

（九）晶閘管；場效應晶體管；氣敏傳感器；壓力傳感器；SNO

（十）HFET；電流崩塌；GAN；勢壘；溝道

半導體收錄信息

• 知網收錄(中)
• 維普收錄(中)
• 國家圖書館館藏
• 上海圖書館館藏

半導體雜志榮譽

• 中國學術期刊（光盤版）全文收錄期刊

半導體雜志特色

1、實行嚴格的同行專家審稿制度和三審三校制度，依據稿件學術質量，公平、客觀地取舍稿件。

2、正文的標題層次用阿拉伯數字編號，不同層次的數字之間用下圓點“.”相隔，如“1”，“1.1”，“1.1.2”，并一律左頂格。

3、參考文獻限于作者親自閱讀、本文明確引用、公開發表或有案可查。參考文獻全部列于文后，按正文首次引用的先后次序編號，并在正文引用處右上角注明參考文獻序號。

4、請在來稿正文前提供中文摘要（200字左右）、關鍵詞（3-5個），摘要應能客觀反映論文或報告的主要內容。

5、作者簡介在稿件首頁頁腳：姓名、工作單位全稱及職務（職稱）、所在地（省、自治區、直轄市及其下轄的市、縣）的地名、聯系電話（可放入稿件末尾）、郵政編碼。